品名

氮化镓衬底

化学式

GaN

尺寸(inch)

2/4/6

厚度(μm)

400±25

类型

非掺；N型-掺Si；P型-掺Al/Fe/Mg

晶向

C平面(0001)偏离M轴0.35±0.15°或0.55±0.15°

应用

主要应用于通讯、新能源汽车、射频功率放大器、光电子设备、电力电子、LED和激光器、电机驱动、移动储能和户外电源等领域

包装方式

单片盒或多片盒，纸箱快递运输

储存方法

收到产品后，需储存于干燥环境，密封包装，轻拿轻放，防压防撞

品名

氮化镓衬底

化学式

GaN

尺寸(inch)

2/4/6

厚度(μm)

400±25

类型

非掺；N型-掺Si；P型-掺Al/Fe/Mg

晶向

C平面(0001)偏离M轴0.35±0.15°或0.55±0.15°

应用

主要应用于通讯、新能源汽车、射频功率放大器、光电子设备、电力电子、LED和激光器、电机驱动、移动储能和户外电源等领域

包装方式

单片盒或多片盒，纸箱快递运输

储存方法

收到产品后，需储存于干燥环境，密封包装，轻拿轻放，防压防撞