
检测原理
霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,在垂直于电流和磁场的方向上会产生一个附加电场,从而在半导体的两端产生电势差。霍尔电压的大小随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高;磁场越弱,电压越低。
检测项目
测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。
检测范围
电阻率10⁻⁶~10⁷Ω·cm、载流子浓度10⁷~10²¹ cm⁻³。

霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,在垂直于电流和磁场的方向上会产生一个附加电场,从而在半导体的两端产生电势差。霍尔电压的大小随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高;磁场越弱,电压越低。
测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。
电阻率10⁻⁶~10⁷Ω·cm、载流子浓度10⁷~10²¹ cm⁻³。